[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和电子装置

摘要

本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法和电子装置。薄膜晶体管包括：有机半导体层；以及源电极和漏电极，源电极和漏电极彼此隔开并被设置为分别与有机半导体层重叠。有机半导体层包括：下部有机半导体层；以及上部有机半导体层，形成于下部有机半导体层之上，并具有高于下部有机半导体层的溶解性和导电性。下部有机半导体层从与源电极重叠的区域延伸到与漏电极重叠的区域，而上部有机半导体层被分别设置在与源电极重叠的区域和与漏电极重叠的区域的各区域中，以使得各上部有机半导体层彼此隔开。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：有机半导体层；以及源电极和漏电极，彼此隔开并被设置为分别与所述有机半导体层重叠，其中，所述有机半导体层包括：下部有机半导体层，以及上部有机半导体层，形成在所述下部有机半导体层上，并具有高于所述下部有机半导体层的溶解性和导电性，以及所述下部有机半导体层从与所述源电极重叠的区域延伸到与所述漏电极重叠的区域，而所述上部有机半导体层被分别设置在与所述源电极重叠的区域和与所述漏电极重叠的区域的各区域中，以使得各上部有机半导体层彼此隔开。