[发明专利]一种制造变形的铟镓铝氮基半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201110026135.1 | 申请日： | 2011-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN102610723B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 熊传兵;赵汉民;江风益 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造变形的铟镓铝氮基半导体发光器件的方法，涉及铟镓铝氮基半导体发光器件，其通过改善电子分布使器件的光电性能和可靠性获得提高。本发明提出变形的铟镓铝氮基半导体发光器件包括支撑衬底，以及支撑衬底上的多层半导体结构，所述多层半导体结构呈弧形曲面。本发明提出方法包括在铟镓铝氮薄膜上制作紫外固化胶层；在紫外固化胶层上制作透紫外光支撑基板；用紫外光照射，使紫外固化胶固化，紫外固化胶固化收缩使铟镓铝氮薄膜呈现弯曲形状。增大了欧姆接触层与发光层的有效接触面积，使得发光效率得以提高。从而使器件的光电性能和可靠性得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 变形 铟镓铝氮基 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种变形的铟镓铝氮基半导体发光器件的制造方法，所述变形的铟镓铝氮基半导体发光器件中包括支撑衬底以及支撑衬底上的多层半导体结构，所述变形的铟镓铝氮基半导体发光器件的方法包括：在铟镓铝氮薄膜上制作紫外固化胶层；在紫外固化胶层上制作透紫外光支撑基板；用紫外光照射，使紫外固化胶固化，紫外固化胶固化收缩使铟镓铝氮薄膜呈现弯曲形状。
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