[发明专利]一种二维阵列三维成像换能器及其制造方法有效
申请号: | 201110026494.7 | 申请日: | 2011-01-25 |
公开(公告)号: | CN102151150A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 古伦勇;刘义春 | 申请(专利权)人: | 古伦勇;刘义春 |
主分类号: | A61B8/00 | 分类号: | A61B8/00 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 胡朝阳;孙洁敏 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种二维阵列三维成像换能器及其制造方法。所述的换能器包括:压电晶片(1);依次粘接在所述压电晶片的地电极面上的第一匹配层(2)和第二匹配层(3);在所述压电晶片上切割出的纵横正交的二维阵列;地电极连接导线(6);FPC板(8);和PCB板(9),所述的FPC板(8)逐层将压电晶片(1)的信号电极引线(7)与PCB板(9)的信号引线焊接点(16)焊接在一起,构成信号传输通路。本发明巧妙地引入FPC板,将阵列电极引线逐层焊接在PCB板上,待相关性能参数测试合格后灌注背衬材料与声透镜材料,极大地优化了工艺的可操作性,适合于批量生产作业。 | ||
搜索关键词: | 一种 二维 阵列 三维 成像 换能器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种二维阵列三维成像换能器,其特征在于包括:压电晶片(1),该压电晶片采用地电极面包边型结构,正负电极之间设有一电极隔离槽(5);依次粘接在所述压电晶片的地电极面上的第一匹配层(2)和第二匹配层(3);在所述压电晶片上切割出的纵横正交的二维阵列,其横向切割槽(11)切透至第二匹配层,纵向切割槽(12)未切透压电晶片,保证地电极面的横向连通;地电极连接导线(6),用于将地电极并联焊接在一起,作为公共地电极引线;FPC板(8),其上设有容纳信号电极引线(7)的镂空槽;PCB板(9),所述的FPC板(8)逐层将压电晶片的信号电极引线(7)与PCB板(9)的信号引线焊接点(16)焊接在一起;背衬材料层(15),用于将焊接完成的工件进行灌注固定并承担声学阻尼的功能;声透镜层(4),在灌注好背衬材料层的工件的第二匹配层(3)外灌注一层声透镜层(4),实现声学的透声与物理聚焦的功能。
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