[发明专利]一种制备石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201110026532.9 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102161482A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘云圻;陈建毅;黄丽平;武斌;薛运周;耿德超;于贵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备石墨烯的方法。该方法，包括如下步骤：1)将基底在非氧化性气氛中升温至800-1200℃保持10-20分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的基底上进行反应，反应完毕关闭碳源，在非氧化性气氛下冷却到室温得到所述石墨烯。该石墨烯可以为离散的纳米薄片，也可以为连续的石墨烯膜。在石英基底上生长石墨烯可以直接用于高性能透明导电电极。在带有二氧化硅层的硅基底上生长石墨烯，不需要转移可直接用于电子器件组装，工艺简单，并且和现有半导体工业兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：1)将基底在非氧化性气氛中升温至800‑1200℃，保持10‑30分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的基底上进行反应，反应完毕关闭碳源，在非氧化性气氛下冷却到室温得到所述石墨烯。
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