[发明专利]操作半导体存储器件的方法无效
| 申请号： | 201110026652.9 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102237137A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李珉圭 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;张文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种操作半导体存储器件的方法，包括：选择多个字线中的一个；将从第三电平逐渐下降至第一电平的编程电压施加至所选择的字线；并且每当改变编程电压的电平时将位线放电。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 半导体 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种操作半导体存储器件的方法，包括：选择多个字线中的一个；将从第三电平逐渐下降至第一电平的编程电压施加至所选择的字线；并且每当改变所述编程电压的电平时将位线放电。
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