[发明专利]阻变型随机存储单元及存储器有效
| 申请号： | 201110026944.2 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102610749A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;刘明;张满红;王艳花;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变型随机存储单元及存储器。该存储单元由上电极、阻变功能层、中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成，其中上电极、阻变功能层和中间电极构成阻变存储部分，中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成选通功能部分，阻变存储部分和选通功能部分共用中间电极，选通功能部分可以位于阻变存储部分的上方或下方；非对称隧穿势垒层由至少两种势垒高度存在差异的材料构成，以实现对穿过阻变型随机存储单元的正、反向隧穿电流的整流调制。本发明引入非对称隧穿势垒层用于整流，从而实现电阻单元的选通操作。同时，由于非对称隧穿势垒层不用掺杂，不用高温退火，并且厚度较薄，因此有利于实现阻变型随机存储器进行三维高密度集成。 | ||
| 搜索关键词： | 变型 随机 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
一种阻变型随机存储单元，其特征在于，该存储单元由上电极、阻变功能层、中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成，其中上电极、阻变功能层和中间电极构成阻变存储部分，中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成选通功能部分，阻变存储部分和选通功能部分共用中间电极，选通功能部分位于阻变存储部分的上方或下方；所述非对称隧穿势垒层由至少两种势垒高度存在差异的材料构成，以实现对穿过所述阻变型随机存储单元的正、反向隧穿电流的整流调制。
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