[发明专利]一种二氧化钒薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110027223.3 申请日: 2011-01-25
公开(公告)号: CN102603203A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 高彦峰;刘新玲;康利涛;罗宏杰;金平实 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C03C17/23 分类号: C03C17/23
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 许亦琳;余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种二氧化钒薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)将带羟基的羧酸溶解于双氧水中,并用氨水调节溶液的pH值大于7;然后加入硫酸氧钒,获得反应溶液,反应完成后,加入有机溶剂,静置,生成沉淀,分离沉淀,得到钒的过氧配合物;2)将步骤1)所得钒的过氧配合物和和添加剂溶解于水中形成水溶液,将所述水溶液镀膜于衬底上,然后在惰性气氛中经热处理后得到二氧化钒薄膜。本发明所提供的二氧化钒薄膜的制备方法,所涉及工艺简单,所得薄膜光学调控性能良好。本发明所制得二氧化钒薄膜可应用于智能温控涂层、光致开关以及存储器等领域。
搜索关键词: 一种 氧化 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种二氧化钒薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)将带羟基的羧酸溶解于双氧水中,并用氨水调节溶液的pH值大于7;然后加入硫酸氧钒,获得反应溶液,反应完成后,加入有机溶剂,静置,生成沉淀,分离沉淀,得到钒的过氧配合物;2)将步骤1)所得钒的过氧配合物和和添加剂溶解于水中形成水溶液,将所述水溶液镀膜于衬底上,然后在惰性气氛中经热处理后得到二氧化钒薄膜。
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