[发明专利]沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110027235.6 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102110717A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王新;朱怀宇 | 申请（专利权）人： | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，包括N+衬底层、N-外延层、栅氧化层、硼磷硅玻璃层、金属层、以及背面金属层，N-外延层上端面设置有环状的场氧化层，N-外延层设有沟槽，该沟槽内填充有掺杂的多晶硅层，N-外延层包括源区层和设置在源区层下端面的P_body层；本发明还包括源电极接触孔和栅电极接触孔，源电极接触孔和栅电极接触孔均由金属层填充，且源电极接触孔端的金属层和栅电极接触孔端的金属层通过一道开口分隔开。本发明还公开了上述沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法。采用上述结构和制造方法，节约制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括N‑外延层， N‑外延层包括设置在其上部的源区层，以及设置在源区层下端面的P_body层，该P_body层内设有P型杂质层。
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