[发明专利]制备大高宽比衍射光学元件的方法无效
| 申请号： | 201110027351.8 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102608863A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 谢常青;李海亮;朱效立;史丽娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备大高宽比衍射光学元件的方法。该方法包括：在支撑结构上交叉旋涂增粘剂和电子束抗蚀剂至预设厚度，形成多层夹心结构，其中，增粘剂用于增强其两侧电子束抗蚀剂的强度；对支撑结构上所旋涂的若干层增粘剂和电子束抗蚀剂进行电子束刻蚀、显影，将衍射光学元件的图形转移至电子束抗蚀剂；在显影形成的空隙中沉积待制备材料，去除残留的电子束抗蚀剂，形成大高宽比衍射光学元件。本发明制备大高宽比衍射光学元件的方法中，采用增粘剂和电子束抗蚀剂相结合的方式，提高了电子束抗蚀剂的强度，增强了其抗倒塌性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 大高宽 衍射 光学 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种制备大高宽比衍射光学元件的方法，其特征在于，该方法包括：在支撑结构上交叉旋涂增粘剂和电子束抗蚀剂至预设厚度，形成多层夹心结构，其中，所述增粘剂用于增强其两侧电子束抗蚀剂的强度；对所述支撑结构上所旋涂的若干层增粘剂和电子束抗蚀剂进行电子束刻蚀、显影，将衍射光学元件的图形转移至所述电子束抗蚀剂；在所述显影形成的空隙中沉积待制备材料，去除残留的电子束抗蚀剂，形成大高宽比衍射光学元件。
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