[发明专利]一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法

摘要

一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法，它涉及一种晶体硅太阳电池生产的技术领域。它由两个具有不同折射率的氮化硅子层薄膜组成，并且在一次PECVD沉积过程中获得。两个子层中，与硅片接触的第一子层(内层)比第二子层薄膜(外层)具有更高的折射率(也即是n1＞n2)。一次沉积过程分两个阶段进行，而且在两个阶段中分别采用两个不同的硅烷和氨气流量比；两个不同生长温度；两个不同高频电源输出功率；两个不同的沉积时间；两个不同的工作气压。它用于晶体硅太阳电池时，比单层氮化硅薄膜具有更好的减反射效果和更好的表面钝化效率，可以提高太阳电池的光电转换效率，因此，具有较好的实用价值。

主权项

一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法，其特征在于它由两个具有不同折射率的氮化硅子层薄膜组成，并且在一次PECVD沉积过程中获得。