[发明专利]沟槽型双层栅MOS器件的制备方法有效
| 申请号： | 201110027939.3 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102623340A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 丛茂杰;缪进征;金勤海 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS器件的制备方法，包括如下步骤：在第一层多晶硅淀积之后，将所有沟槽内的第一层多晶硅回刻至预定深度，形成第一层多晶硅栅；在第一层多晶硅栅形成之后，淀积介质层填充沟槽，之后利用光刻工艺使光刻胶覆盖住预设进行金属连接的第一层多晶硅栅位置上，接着刻蚀暴露出来的介质层在沟槽中形成双层栅之间的中间介质层；在接触孔制备过程中，刻蚀介质层至预设进行金属连接的第一层多晶硅栅。采用本发明的方法，简化了制备流程，从而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 双层 mos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型双层栅MOS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在第一层多晶硅淀积之后，将所有沟槽内的所述第一层多晶硅回刻至预定深度，形成第一层多晶硅栅；在所述第一层多晶硅栅形成之后，淀积介质层填充所述沟槽，之后利用光刻工艺使光刻胶覆盖住预设进行金属连接的第一层多晶硅栅位置上，接着刻蚀暴露出来的所述介质层在沟槽中形成双层栅之间的中间介质层；在接触孔制备过程中，刻蚀所述介质层至预设进行金属连接的第一层多晶硅栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
