[发明专利]半导体发光芯片制造方法无效
| 申请号： | 201110028114.3 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102623579A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;黄世晟;林雅雯 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体发光芯片的制造方法，包括步骤：提供具有磊晶层的基板，该磊晶层包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层；将磊晶层浸入电解质溶液当中，通入电流使电解质溶液蚀刻磊晶层表面而形成孔洞；及在磊晶层上制作电极。该方法制成的半导体发光芯片可破坏发光层的光线在磊晶层表面的反射，从而提升整体的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光芯片制造方法，包括步骤：提供具有磊晶层的基板，该磊晶层包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层；将磊晶层浸入电解质溶液当中，通入电流使电解质溶液蚀刻磊晶层表面而形成孔洞；及在磊晶层上制作电极。
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