[发明专利]刷新操作控制电路、半导体存储器件和刷新操作控制方法有效
| 申请号： | 201110029314.0 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102467957A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 权奇昌 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/402 | 分类号： | G11C11/402;G11C11/406;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;张文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体存储器件，包括：存储体，所述存储体包括第一单元区和第二单元区；激活信号发生单元，所述激活信号发生单元被配置为响应于刷新命令而产生具有互不相同的激活时间段的第一行激活信号和第二行激活信号；以及地址计数单元，所述地址计数单元被配置为对刷新命令进行计数，并产生行地址，其中，当第一行激活信号被激活时，第一单元区中由所述行地址指定的字线被激活，并且当第二行激活信号被激活时，第二单元区中由所述行地址指定的字线被激活。 | ||
| 搜索关键词： | 刷新 操作 控制电路 半导体 存储 器件 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储体，所述存储体包括第一单元区和第二单元区；激活信号发生单元，所述激活信号发生单元被配置为响应于刷新命令而产生具有互不相同的激活时间段的第一行激活信号和第二行激活信号；以及地址计数单元，所述地址计数单元被配置为对所述刷新命令进行计数，并产生行地址，其中，当所述第一行激活信号被激活时，所述第一单元区中由所述行地址指定的字线被激活，并且当所述第二行激活信号被激活时，所述第二单元区中由所述行地址指定的字线被激活。
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