[发明专利]EDMOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110029618.7 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102097485A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种EDMOS晶体管及其制作方法，所述晶体管包括：具有深掺杂阱的半导体衬底；位于深掺杂阱内且相邻的第一掺杂阱和第二掺杂阱；位于第一掺杂阱和第二掺杂阱上方的栅介质层；栅极，位于所述栅介质层表面；源区，位于所述第一掺杂阱内；漏区，位于所述第二掺杂阱内，且所述漏区位于第二掺杂阱的远离所述栅极和源区的一侧；轻掺杂区，位于所述第二掺杂阱内，所述轻掺杂区的一个侧面与所述栅极和栅介质层的一个侧面相对，且所述轻掺杂区的另一个侧面与所述漏区之间具有间隙，所述轻掺杂区与第二掺杂阱的导电类型相反；位于所述深掺杂阱表面的层间介质层、源区导电插塞和漏区导电插塞。本发明提高了EDMOS晶体管的关断电压。 | ||
| 搜索关键词： | edmos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种EDMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；深掺杂阱，位于所述半导体衬底内；第一掺杂阱，位于所述深掺杂阱内；第二掺杂阱，位于所述深掺杂阱内，且所述第二掺杂阱与所述第一掺杂阱相邻；栅介质层，位于所述第一掺杂阱和第二掺杂阱上方，所述栅介质层部分覆盖所述第一掺杂阱和第二掺杂阱；栅极，位于所述栅介质层表面；源区，位于所述第一掺杂阱内；漏区，位于所述第二掺杂阱内，且所述漏区位于所述第二掺杂阱的远离所述栅极和源区的一侧；轻掺杂区，位于所述第二掺杂阱内，所述轻掺杂区的一个侧面与所述栅极和栅介质层的一个侧面相对，且所述轻掺杂区的另一个侧面与所述漏区之间具有间隙，所述轻掺杂区与第二掺杂阱的导电类型相反；层间介质层，位于所述深掺杂阱表面；源区导电插塞，位于所述源区上的层间介质层内；漏区导电插塞，位于所述漏区上的层间介质层内。
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