[发明专利]阻变型随机存储单元、存储器及制备方法无效
| 申请号： | 201110029760.1 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102623631A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;张森;李颖涛;王艳;连文泰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变型随机存储单元、存储器及制备方法。本发明阻变型随机存储单元中，在导电电极表面制备具有圆锥形状的控制电极层，这种突出结构具有增强功能层中的局域电场强度的作用，这种局域集中的强电场效应有利于导电细丝的形成和生长，从而达到控制导电细丝形成的过程，通过控制导电细丝的形成过程可以改善电阻转变型存储器的相关电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 变型 随机 存储 单元 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变型随机存储单元，其特征在于，该存储单元自下至上包括：下导电电极、能够形成金属性导电通道的阻变存储层、上导电电极和控制电极，其中：该控制电极，为导电材料形成的锥形凸起，形成于下导电电极与所述阻变存储层之间，与所述下导电电极一体成型或紧密结合。
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