[发明专利]一种防漏电的LED晶片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种防漏电的LED晶片及其制造方法，制造方法包括以下步骤，(a)在衬底上生长半导体层，半导体层包括依次在衬底上生长的N型半导体层、发光层和P型半导体层；(b)在半导体层的表面形成一层绝缘层，所述绝缘层的绝缘物质渗透到半导体层的晶体间隙内；(c)采用黄光保护晶体间隙内的绝缘物质；(d)去除半导体层表面的绝缘层，保留晶体间隙内的绝缘物质；(e)在半导体层的表面刻蚀后再做电极。由于在半导体层的表面形成一层绝缘，绝缘层的绝缘物质渗透到半导体层的晶体间隙内，绝缘物质可以将半导体内的晶体间隙堵塞，有效防止漏电流的现象发生，同时，本发明也可以提高LED的使用寿命，产品良率也可以大大的提高。

主权项

一种防漏电的LED晶片，包括半导体层，所述半导体层包括N型半导体层、发光层和P型半导体层以及在所述N型半导体层、P型半导体层和发光层内形成的晶体间隙，其特征在于：在所述晶体间隙内设置有绝缘物质。