[发明专利]一种非易失性存储单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储单元及其制造方法，包括：由漏极、源极、栅极和衬底构成的晶体管；晶体管包括：第一重掺杂区、第二重掺杂区、多晶硅层、衬底、非对称轻掺杂区、第一侧墙、第二侧墙和氧化硅层；其中，氧化硅层位于衬底上；多晶硅层、第一侧墙、第二侧墙均位于氧化硅层上；第一侧墙、第二侧墙分别位于多晶硅层的两侧；非对称轻掺杂区邻接于第二重掺杂区和氧化硅层。本发明所述的非易失性存储单元及其制造方法，与现有逻辑工艺尤其是深亚微米逻辑工艺完全兼容，存储单元的面积能够随现有逻辑工艺的缩小而缩小。

主权项

一种非易失性存储单元，其特征在于，包括：由漏极、源极、栅极和衬底构成的晶体管；所述晶体管包括：第一重掺杂区、第二重掺杂区、多晶硅层、衬底、非对称轻掺杂区、第一侧墙、第二侧墙和氧化硅层；其中，所述氧化硅层位于所述衬底上；所述多晶硅层、所述第一侧墙、所述第二侧墙均位于所述氧化硅层上；所述第一侧墙、所述第二侧墙分别位于所述多晶硅层的两侧；所述非对称轻掺杂区邻接于所述第二重掺杂区和所述氧化硅层。