[发明专利]多晶硅/铜铟镓硒叠层电池工艺无效
| 申请号： | 201110030237.0 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102142484A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王应民;李清华;蔡莉;张婷婷;李禾;程泽秀 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330063 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明是新型的多晶硅/铜铟镓硒叠层电池，结合多晶硅太阳电池和铜铟镓硒(Cu(In，Ga)Se2简称CIGS)薄膜太阳电池特点。采用多种薄膜沉积技术制备多晶硅/铜铟镓硒叠层电池，提高多晶硅/铜铟镓硒叠层电池光电转换效率。不仅能够克服晶硅太阳电池生产过程中出现的工艺复杂、能耗高等问题，同时也能解决铜铟镓硒薄膜太阳电池生产过程中出现的良品率低等问题。本叠层电池具有低成本、高的稳定性、长的使用寿命以及较高光电转换效率，具有比较好的开发价值。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 铜铟镓硒叠层 电池 工艺 | ||
【主权项】：
多晶硅/铜铟镓硒叠层电池其特征在于：结合了多晶硅太阳电池和铜铟镓硒薄膜太阳电池特点，提高叠层电池的光电转换效率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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