[发明专利]制备低缺陷大面积硅(100)- 2x1重构表面的方法

摘要

一种制备低缺陷大面积硅(100)-2x1重构表面的方法，其特征是方法步骤为：第一步，通过直流电源对硅（100）样品实现击穿；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀分布在Si样品的表面；第五步，将样品迅速升温至1200摄氏度，使银原子全部脱吸附掉，从而实现低缺陷大面积硅(100)-2x1重构表面的制备。本发明的技术效果是：1、在制备硅(100)-2x1重构表面时，采用阶梯式的升温清洁的方法，避免了升温过快导致的样品断裂的问题；2、利用高温促使吸附在硅表面的银原子脱吸附过程，极大地降低了硅(100)-2x1重构表面的缺陷。

主权项

一种制备低缺陷大面积硅(100)‑ 2 x 1重构表面的方法，其特征是方法步骤为：第一步，通过直流电源对硅（100）样品实现击穿，将电流调到0.5安培，放置最少5个小时，进行除气处理；第二步，待除气结束之后，将电流迅速上升至1安培，保持10秒后降到除气时的电流值，多次重复该过程直到腔内气压降至10‑10托范围内，然后将加热电流增加0.5安培，重复上述过程，直至所加的电流使样品的温度达到1200摄氏度，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，将银层覆盖的的硅（100）样品在700摄氏度温度下退火30分钟，使银原子均匀分布在Si样品的表面；第五步，将样品迅速升温至1200摄氏度，使银原子全部脱吸附掉，从而实现低缺陷大面积硅(100)‑ 2 x 1重构表面的制备。