[发明专利]双面记录介质有效
| 申请号： | 201110030695.4 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102189865A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 浅川浩;永岛齐;田中考利 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | B41M5/50 | 分类号： | B41M5/50;B41J2/01 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 记录介质包括基材和该基材的第一表面和第二表面的每一个上的两个以上的墨接受层。该墨接受层均含有颜料和粘结剂。A1、A2、B1和B2(nm)满足关系(1)、(2)和(3)，其中A1为该第一表面侧的最外墨接受层的孔半径分布的峰位置，A2为与该最外墨接受层相邻的墨接受层的孔半径分布的峰位置，B1为该第二表面侧的最外墨接受层的孔半径分布的峰位置，和B2为与该最外墨接受层相邻的墨接受层的孔半径分布的峰位置。该最外墨接受层的每一个的JIS B 0601中规定的算术平均粗糙度Ra为0.50μm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 记录 介质 | ||
【主权项】：
记录介质，包括：基材；设置在该基材的第一表面上的两个以上的墨接受层；和设置在该基材的第二表面上的两个以上的墨接受层，该第二表面与该第一表面相反，其中该墨接受层均含有颜料和粘结剂；满足关系(1)A1＞A2、(2)B1＞B2和(3)|A1‑B1|≤1.0，其中A1为该第一表面侧的最外墨接受层的孔半径分布的峰位置(单位为nm)，A2为该第一表面侧的与该最外墨接受层相邻的墨接受层的孔半径分布的峰位置(单位为nm)，B1为该第二表面侧的最外墨接受层的孔半径分布的峰位置(单位为nm)，和B2为该第二表面侧的与该最外墨接受层相邻的墨接受层的孔半径分布的峰位置(单位为nm)；和该第一表面侧的最外墨接受层和该第二表面侧的最外墨接受层的每一个的算术平均粗糙度Ra为0.50μm以上，该算术平均粗糙度Ra在JIS B 0601中规定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110030695.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种修井堵漏用吸水树脂及其合成方法
- 下一篇：腺苷在制备治疗肿瘤药物中的应用
