[发明专利]一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110031632.0 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102154650A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 夏辉;熊爱华;梅海军;吴昌贵;林立桂;林善彪 | 申请（专利权）人： | 福建福顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350018 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）预刻蚀，以去除金属层表面氧化物及ARC层；2）刻蚀1/2~2/3厚度的铝介质层；3）刻蚀剩余1/3~1/2厚度的铝介质层，并去除残留物层，此方法可降低对单步主刻蚀工艺设置的要求和依赖性，有效地减轻干法刻蚀负载效应等弊端带来的负面影响，从而获得更好的刻蚀效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极型 集成电路 制作 过程 中的 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种双极型集成电路制作过程中的厚铝刻蚀方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）预刻蚀，以去除金属层表面氧化物及ARC层；2）刻蚀1/2~2/3厚度的铝介质层；3）刻蚀剩余1/3~1/2厚度的铝介质层，并去除残留物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建福顺微电子有限公司，未经福建福顺微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110031632.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电源插座开关预埋盒可调整螺杆
- 下一篇：硫化机机械手转臂缓冲装置
