[发明专利]6英寸POWERMOS管外延层的制造方法有效
| 申请号： | 201110031633.5 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102157359A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 万华勇;熊爱华;梅海军;李豪;林立桂;林善彪 | 申请（专利权）人： | 福建福顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350018 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）选择合适的POWERMOS管衬底片，并进行一定的前处理；2）对衬底片在一定温度下进行HCL气相腐蚀；3）进行第一次H2变速吹扫；4）在衬底片上淀积一层厚度为1-2um的无掺杂本征层；5）进行第二次H2变速吹扫；6）在本征层上形成第二外延层，该方法在高温情况下最大限度抑制了自掺杂现象，有效的阻挡衬底杂质向外延层扩散和掺杂，从而保证了电阻率的均匀性和过渡区的宽度，使器件的击穿电压BVDSS和导通电阻RDSON都达到要求。 | ||
| 搜索关键词： | 英寸 powermos 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种6英寸POWERMOS管外延层的制造方法，其特征在于：按以下步骤进行：1）选择合适的POWERMOS管衬底片，并进行一定的前处理；2）对衬底片在一定温度下进行HCL气相腐蚀；3）进行第一次H2变速吹扫；4）在衬底片上淀积一层厚度为1‑2 um的无掺杂本征层；5）进行第二次H2变速吹扫；6）在本征层上形成第二外延层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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