[发明专利]一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201110031688.6 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102270737A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘学超;陈之战;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12;H01L21/203;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，涉及一种高质量、低电阻率、具有内禀铁磁性的稀土金属离子掺杂ZnO稀磁半导体薄膜及其制备方法。本发明的薄膜，其化学成份符合化学通式Zn1-x-yErxAlyO，0＜x≤0.03，0＜y≤0.02。本发明以稀土金属离子Er和Al施主掺杂的方式，以陶瓷靶材为基础，采用ICP-PVD技术，制得具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜。本发明ICP-PVD技术可使Er均匀掺杂到ZnO晶格中，同时Al的掺杂可以显著提高ZnO薄膜中的载流子浓度，有效地调节Er2+离子间的铁磁交换，所得薄膜具有室温以上的内禀铁磁性和反常霍尔效应，可广泛应用于自旋电子器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 铁磁性 zno 基稀磁 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜，其化学成份符合化学通式Zn1‑x‑yErxAlyO，其中0＜x≤0.03，0＜y≤0.02。
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