[发明专利]一种大面积镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110031846.8 | 申请日： | 2011-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102154620A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王金斌;贾永锐;钟向丽;王芳;周益春 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/28 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 黄美成 |
| 地址： | 411105*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将靶材和衬底安装在真空腔内，靶材尺寸大于衬底尺寸；步骤2：加热衬底至所需沉积温度，即650～780℃，向真空腔内通入氧气；步骤3：开启激光器使激光在靶材表面变速扫描熔蚀靶材，沉积大面积镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电薄膜。其关键是通过发展激光变速扫描熔蚀大尺寸靶材工艺和优化工艺参数，实现了大面积镧系稀土离子掺杂钛酸铋无铅铁电薄膜的均匀生长。所制备的5英寸镧系稀土离子掺杂钛酸铋无铅铁电薄膜的厚度均匀性偏差在±3％以内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 稀土 离子 掺杂 钛酸铋铁电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将靶材和衬底安装在真空腔内，靶材尺寸大于衬底尺寸；步骤2：加热衬底至所需沉积温度，即650～780℃，向真空腔内通入氧气；步骤3：开启激光器使激光在靶材表面变速扫描熔蚀靶材，沉积大面积镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电薄膜。
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