[发明专利]去激光损伤层洗液有效
| 申请号： | 201110032192.0 | 申请日： | 2011-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102157616A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 黄书斌 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池制作技术，尤其是一种去激光损伤的洗液，由水、氟化铵、氢氟酸和硝酸组成，在1L水中加入60-80g氟化铵、10-20ml氢氟酸溶液和10-20ml硝酸溶液混合制成，采用本发明的洗液可以有效的去除硅片表面的硅的氧化物和大部分的金属元素，可以降低PN结漏电流(也称为反向饱和电流或空间电荷区漏电流)，使的开压上升。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 损伤 层洗液 | ||
【主权项】：
一种去激光损伤层洗液，其特征在于：由水、氟化铵、氢氟酸和硝酸组成，在1L水中加入60‑80g氟化铵、10‑20ml氢氟酸溶液和10‑20ml硝酸溶液混合制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
