[发明专利]高集成度晶圆扇出封装方法有效
| 申请号： | 201110032591.7 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102157400A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陶玉娟;石磊;朱海青 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及高集成度晶圆扇出封装方法，包括步骤：在载板上形成胶合层；将由芯片和无源器件组成的被封装单元的功能面贴于所述胶合层上；将载板贴有芯片和无源器件的一面形成封料层，进行封装固化，所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽；去除所述载板和胶合层。与现有技术相比，本发明请求保护的高集成度晶圆扇出封装方法，将芯片和无源器件进行整合后再一并封装，可以形成包含整体系统功能而非单一的芯片功能的最终封装产品。另外，将封装层的整片封装分解成多个小封装块以降低封装层的内应力，进而避免封料层在晶圆封装的后续过程中出现翘曲变形，提高了晶圆封装成品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 集成度 晶圆扇出 封装 方法 | ||
【主权项】：
高集成度晶圆扇出封装方法，其特征在于，包括步骤：在载板上形成胶合层；将由芯片和无源器件组成的被封装单元的功能面贴于所述胶合层上；将载板贴有芯片和无源器件的一面形成封料层，进行封装固化，所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽；去除所述载板和胶合层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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