[发明专利]多重图案化的方法无效
申请号: | 201110032839.X | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN102623448A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 陈士弘;吕函庭 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成电路存储器,包括一组线,每一条线具有在一第一区中平行X方向线部分物以及在一第二区中平行Y方向线部分物。第二区和第一区是互相分隔开的。X方向线部分物的长度实质上长于Y方向线部分物的长度。X方向和Y方向线部分物各自具有第一间距和第二间距,且第二间距为第一间距的3倍或3倍以上。接触区(contact pickup area)位于Y方向线部分物。在一些实施例中,这些线包括字线或位线。可利用多重图案化方法制作材料线,并接着作出平行X方向线部分物和平行Y方向线部分物,以制作出存储器。 | ||
搜索关键词: | 多重 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路存储器,包括:一组线,该组线中的每一条线具有在一第一区中多个平行X方向线部分物,以及在一第二区中多个平行Y方向线部分物,该第二区和该第一区相互分隔开;该些X方向线部分物的长度实质上长于该些Y方向线部分物的长度;该些X方向线部分物和该些Y方向线部分物分别具有多个第一间距和第二间距,且该第二间距大于该第一间距;以及位于该些Y方向线部分物的多个接触区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的