[发明专利]场发射光源装置有效
| 申请号： | 201110032840.2 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102569005A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨宗翰;罗吉宗 | 申请（专利权）人： | 大同股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J63/06 | 分类号： | H01J63/06;H01J63/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种场发射光源装置，包括：一底基板；阴极，是设置于底基板上；至少一发射块，是设置于阴极上且与阴极电性连接；一绝缘层，是设置于阴极上，其中该绝缘层具有至少一开口，遂使发射块凸出该开口；阳极，是设置于绝缘层上，并与阴极排列成m×n矩阵(matrix)，且阳极个别具有对应于发射块的撞击面；以及一发光层，是设置于该撞击面上。据此，本发明可提高场发射光源装置的光利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 光源 装置 | ||
【主权项】：
一种场发射光源装置，其特征在于，包括：一底基板；m条阴极，是设置于该底基板上；至少一发射块，是设置于该m条阴极上且与该m条阴极电性连接；一绝缘层，是设置于该m条阴极上，其中该绝缘层具有至少一开口，遂使该至少一发射块凸出该至少一开口；n条阳极，是设置于该绝缘层上，并与该m条阴极排列成m×n矩阵(matrix)，其中m及n分别为1以上的整数，且该n条阳极具有至少一撞击面，其是对应该至少一发射块且为一斜面或一曲面；以及一发光层，是设置于该至少一撞击面上。
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