[发明专利]纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池及制备方法

摘要

本发明涉及太阳电池，特指利用单晶硅、纳米硅和氧化铝形成异质结径向结构纳米线太阳电池，其电池结构是n型单晶硅/p型纳米硅/氧化铝或n型单晶硅/i型纳米硅/p型纳米硅/氧化铝的电池结构。本发明利用湿法腐蚀工艺在n型单晶硅衬底上制备单晶硅（c-Si）纳米线，采用PECVD方法在单晶纳米线上制备氢化的i型和p型纳米硅（nc-Si:H）薄膜，形成由内至外的c-Si（n）/nc-Si:H（p）或c-Si（n）/nc-Si:H（i）/nc-Si:H（p）径向结构，随后利用ALD技术制备Al2O3层，利用ALD技术制备制备掺铝氧化锌层；最后在n型单晶硅背面真空蒸镀铝电极，并进行快速退火；完成硅基纳米线太阳电池的制备。本发明可以制备高效硅基纳米线太阳电池，而且可以利用低品质的单晶硅材料，从而可以降低电池成本。

主权项

纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池，其特征在于：所述异质结径向纳米线电池结构从里至外依次为：n型单晶硅纳米线、p型纳米硅层、氧化铝钝化层、氧化锌导电层或n型单晶硅纳米线、i型纳米硅层、p型纳米硅层、氧化铝钝化层、氧化锌导电层；p型纳米硅层厚度3~6 nm，光学带隙1.7~1.9 eV，i型纳米硅厚度10~20 nm。