[发明专利]一种硅基纳米线太阳电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种硅基纳米线太阳电池的制备方法，特指利用纳米硅、氧化铝和氧化锌纳米线制备氧化锌/纳米硅nip/氧化铝或氧化锌/纳米硅nip/纳米硅nip/氧化铝结构的纳米线太阳电池，属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明首先在金属衬底或透明导电膜上生长掺杂氧化锌（AZO）纳米线，再利用PECVD方法在AZO纳米线上制备纳米硅层，不同于目前报道的纳米线电池从内至外采用的p-n或pin径向结构，而是形成nip结构或nipnip叠层结构径向纳米线太阳电池；利用原子层沉积（ALD）技术在P型纳米硅层上制备氧化铝(Al2O3)钝化层；利用原子层沉积技术制备制备透明导电薄膜，改善纳米线的电极接触性能，本发明能有效提高了太阳电池的转换效率。

主权项

一种硅基纳米线太阳电池的制备方法，其特征在于：利用化学方法在金属衬底或导电玻璃上首先制备氧化锌纳米线，再采用PECVD方法在氧化锌纳米线上制备氢化纳米硅（nc‑Si:H）薄膜，形成nip或nipnip径向结构，随后利用ALD技术制备氧化铝钝化层，利用ALD技术制备氧化锌透明导电薄膜，完成纳米线太阳电池的制备。