[发明专利]一种硅片制绒方法和用所述方法制造的太阳电池无效
| 申请号： | 201110033169.3 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102623546A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 朱永生;张光春;汪义川 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/306;H01L21/3065;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;刘晔 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片制绒方法以及用该方法制造的太阳电池，所述硅片为多晶硅片或单晶硅片。具体而言，所述硅片制绒方法为：首先用酸溶液腐蚀多晶硅片表面或用碱溶液腐蚀单晶硅片表面制绒；接着在所述绒面上用反应离子刻蚀制绒。用所述方法制备的硅片绒面均一、反射率低，可以有效提高太阳电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 方法 制造 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种硅片制绒方法，所述硅片为多晶硅片或单晶硅片，其特征在于，所述硅片制绒方法包括以下步骤：(1)用酸溶液腐蚀多晶硅片表面或用碱溶液腐蚀单晶硅片表面制绒；(2)在所述绒面上用反应离子刻蚀制绒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
