[发明专利]一种形成半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201110033687.5 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102623405A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供一半导体衬底，其包括：形成在所述半导体衬底上的伪栅，围绕所述伪栅的侧墙，分别形成在所述伪栅两旁的源极区和漏极区，形成在所述半导体衬底中且在所述伪栅下的沟道区；去除所述伪栅，以形成栅极间隙；在所述栅极间隙内形成应力材料层；对所述半导体衬底进行退火，所述应力材料层在退火中具有拉应力性质；去除所述栅极间隙内的所述应力材料层；及在所述栅极间隙中形成栅极。通过上述步骤，可以将应力记忆技术应用于pMOSFFT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括下述步骤：提供一半导体衬底，其包括：形成在所述半导体衬底上的伪栅，围绕所述伪栅的侧墙，分别形成在所述伪栅两旁的源极区和漏极区，形成在所述半导体衬底中且在所述伪栅下的沟道区；去除所述伪栅，以形成栅极间隙；在所述栅极间隙内形成应力材料层； 对所述半导体衬底进行退火，所述应力材料层在退火中具有拉应力性质； 去除所述栅极间隙内的所述应力材料层；及在所述栅极间隙中形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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