[发明专利]一种金属氮化物阻挡层的制备方法无效
| 申请号： | 201110033722.3 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623389A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘邦武;刘训春 | 申请（专利权）人： | 北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件中阻挡层的制备方法，具体涉及一种金属氮化物阻挡层的制备方法，包括如下步骤：（1）采用物理气相沉积方法沉积金属层；（2）将金属层置于等离子注入机，通过等离子注入机向所述金属层中注入氮离子。本发明采用物理气相沉积与全方位等离子浸没注入相结合的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构。非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氮化物 阻挡 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氮化物阻挡层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)采用物理气相沉积方法沉积金属层；(2)将金属层置于等离子注入机，通过等离子注入机向所述金属层中注入氮离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
