[发明专利]晶圆级转接板的制备方法

摘要

本发明涉及一种晶圆级转接板的制备方法，属于集成电路或分立器件封装技术领域。所述方法包括以下工艺步骤：取载体圆片；在载体圆片上上溅射或者化学镀上金属导电层；在金属导电层上形成掩膜图形开口；在掩膜图形开口内填充金属；在载体圆片表面形成金属柱阵列；将转接板基体材料填满整个载体圆片的金属柱阵列，形成带有金属柱阵列的圆片；将的圆片与载体圆片脱离；腐蚀掉圆片上的金属导电层；在圆片的二表面形成金属再布线图形，并加以保护和形成金属再布线保护层及开口图形。本发明晶圆级转接板的制备方法，可极大程度的降低工艺难度和工艺成本，可实现高密度转接板技术的规模化生产。

主权项

一种晶圆级转接板的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、取载体圆片；步骤二、在载体圆片上形成脱模剂，再在脱模剂上溅射或者化学镀上金属导电层；步骤三、在金属导电层上贴上或涂覆掩膜材料，通过光刻或者激光的方式在掩膜材料上形成掩膜图形开口；步骤四、利用电镀的方式在掩膜图形开口内填充金属，在掩膜图形开口内形成金属柱；步骤五、剥离掩膜材料，在溅射或者化学镀上金属导电层的载体圆片表面形成金属柱阵列；步骤六、利用包封的方式将转接板基体材料填满整个载体圆片的金属柱阵列，形成带有金属柱阵列的圆片；步骤七、将带有金属柱阵列的圆片与载体圆片脱离；步骤八、腐蚀掉留在带有金属柱阵列的圆片上的金属导电层；步骤九、在腐蚀掉金属导电层的带有金属柱阵列的圆片的一表面形成一金属再布线图形，该金属再布线图形与所述金属柱阵列互连，并加以保护和形成一金属再布线保护层及开口图形；步骤十、抛磨步骤九所述带有金属柱阵列的圆片的另一表面，露出金属柱阵列；步骤十一、在露出金属柱阵列的圆片另一表面形成另一金属再布线图形，该金属再布线图形也与所述金属柱阵列互连，并加以保护和形成另一金属再布线保护层及开口图形。