[发明专利]真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法及设备无效
| 申请号： | 201110033792.9 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102173424A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;姜大川;董伟;郭校亮;顾正;庞大宇;石爽 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 于忠晶 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于冶金法提纯多晶硅领域。一种真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法，首先，在高真空状态下，利用感应加热方式熔炼硅粉，去除多晶硅中的磷杂质，然后进行拉锭，利用定向凝固技术将硅粉中的金属杂质去除。本发明方法简单，同时应用真空感应熔炼和定向凝固技术来去除多晶硅中的磷及金属杂质，实现了硅粉的熔炼，除杂效果良好，去除效率高，有效地利用了感应线圈加热温度高的特点，方法简单易行，集成了除磷和除金属的双重效果，产量大，适合大规模生产工业生产，提纯效果稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 感应 熔炼 去除 硅粉中磷 金属 杂质 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法，其特征是：首先，在高真空状态下，利用感应加热方式熔炼硅粉，去除多晶硅中的磷杂质，然后进行拉锭，利用定向凝固技术将硅中的金属杂质去除。
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