[发明专利]一种PbAgTe三元纳米线制备方法

摘要

本发明涉及一种PbAgTe三元纳米线制备方法，合成Te纳米线模板：在反应釜中配制PVP溶液，然后配制碲酸溶液，H6TeO6与PVP的质量比为0.10-0.29，加入到盛有PVP溶液的反应釜中，再加入氨水和水合肼，在180℃下反应4小时，得到Te模板溶液备用；合成AgTe二元纳米线：配制乙酸银溶液，AgOAc与PVP的质量比为0.01-0.10，加入等摩尔比的上一步得到的Te模板溶液，在室温下搅拌12小时后得到AgTe二元纳米线溶液备用；合成PbAgTe三元纳米线：配制三水合乙酸铅溶液，Pb(OAc)2·3H2O与PVP的质量比为0.01-0.16，再加入上一步处理好的AgTe溶液，摩尔比Pb∶Ag∶Te＝0.4-1∶1∶1，在室温下搅拌12小时，得到PbAgTe三元纳米线。由本方法合成的三元纳米线直径在32-38纳米，尺寸均匀，是研究单根纳米线相变存储性能和热电性能的良好材料。

主权项

一种PbAgTe三元纳米线制备方法，其特征步骤如下：1)合成Te纳米线模板：在反应釜中配制质量百分数为3.02‑7.41％的聚乙烯吡咯烷酮溶液，然后配制质量百分数为1.88‑3.69％碲酸H6TeO6溶液，在磁力搅拌下加入到盛有PVP溶液的反应釜中，H6TeO6与PVP的质量比为0.10‑0.29；继续搅拌5‑15分钟使其形成均一溶液；然后在磁力搅拌下向釜中加入25％的氨水NH3·H2O使溶液的pH为10‑11、加入85％的水合肼N2H4·H2O使溶液从无色变成咖啡色，将其密封置于180℃的烘箱中4小时；最后将反应釜冷却到室温得Te纳米线，旋蒸干燥Te纳米线，然后将干燥的Te产物溶解于10‑30毫升的二次蒸馏水中得到Te模板溶液备用；2)合成AgTe二元纳米线：取一个玻璃瓶，向瓶中称入与Te模板溶液成等摩尔比的乙酸银AgOAc，AgOAc与PVP的质量比为0.01‑0.10，加入二次蒸馏水，超声使其完全溶解；再加入无水乙醇，C2H5OH与二次蒸馏水的体积比为4‑6∶1，加入等摩尔比的上一步得到的Te模板溶液，在室温下搅拌12小时后得到AgTe二元纳米线溶液备用；3)合成PbAgTe三元纳米线：另取一个烘干的玻璃瓶，配制质量百分数为0.15‑1.40％的三水合乙酸铅溶液，Pb(OAc)2·3H2O与PVP的质量比为0.01‑0.16，再向瓶中加入上一步处理好的AgTe溶液，摩尔比Pb∶Ag∶Te＝0.4‑1∶1∶1，然后继续在室温下搅拌12小时，待反应结束后，产物用二次蒸馏水和无水乙醇各洗涤三次，在45℃的真空干燥箱中干燥12小时，得到PbAgTe三元纳米线。