[发明专利]中空纳米管结构的制造方法无效
| 申请号： | 201110034411.9 | 申请日： | 2011-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102616730A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王水进;郭德明;蔡维志;曾志荏 | 申请（专利权）人： | 成功大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种中空纳米管结构的制造方法，其包含步骤：准备一基板；在该基板上先形成一晶种层，再利用水热法在相对较低的温度下在该晶种层上成长出具有预定尺寸的纳米线；在该纳米线的表面上形成一外披覆层；选择性蚀刻该外披覆层的顶端，以裸露该纳米线的顶端；以及，移除整条该纳米线，而留下中空状的该外披覆层，以形成数个中空纳米管。该制造方法有利于简化纳米管工艺、提高纳米管尺寸精度及提升元件光电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 纳米 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种中空纳米管结构的制造方法，其包含：准备一基板；在该基板上成长多个纳米线；在该纳米线的表面上形成一外披覆层；选择性蚀刻该外披覆层的顶端，以裸露该纳米线的顶端；及移除整条该纳米线，而留下中空状的该外披覆层，以形成多个中空纳米管。
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