[发明专利]集成电路、装置及其制造方法有效
申请号: | 201110034692.8 | 申请日: | 2011-01-30 |
公开(公告)号: | CN102347065A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 陈彝梓;罗彬豪;赖蔡兴;陈佩蕙;谢豪泰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063;G11C11/4091;G11C11/4097 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种集成电路、装置及其制造方法。此集成电路包含存储阵列电路,此存储阵列电路具有数条位线,这些位线是以一共享布局间隙高度来耦接至数条位存储单元列。此存储阵列电路包含数个次阵列、数条多重分开位线以及感应放大器。在制造方法中,首先提供存储阵列。接着,将存储阵列中的位存储单元列分为m个区段。然后,将m条分开位线耦接至m个区段,以从位存储单元的选定一者接收数据。接着,将多重输入感应放大器耦接至m条分开位线。然后,在多重输入感应放大器中侦测从选定存储单元而来的数据,并从多重输入感应放大器输出全域位线信号。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种装置,其特征在于,包含:一存储阵列,具有数条位线,该些位线是以一共享布局间隙高度来耦接至数条位存储单元列,其中该存储阵列包含;数个次阵列,每一该些次阵列具有数个位存储单元,该些位存储单元是以互相邻接以及沿着一位线方向的方式来设置;数条多重分开位线,耦接至区段中的该些位存储单元,每一该些多重分开位线是耦接至该些位存储单元中的至少一者;以及一感应放大器,耦接至该些多重分开位线,以感测一小信号电压并输出一放大输出信号;其中该感应放大器所具有的布局间隙高度小于或等于该些位存储单元的布局间隙高度。
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