[发明专利]n沟道晶体管及反相器电路有效
| 申请号： | 201110034838.9 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102163620A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 麦西亚斯·派斯雷克 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种n沟道晶体管及反相器电路。在一实施例中，n沟道晶体管包括一分立空穴能阶(H0)的第一半导体层：具有一导电带最小值(EC2)的第二半导体层；设置于第一和第二半导体层之间的宽能隙半导体阻障层；设置于第一半导体层之上的栅极介电层；以及一设置于栅极介电层上且具有有效功函数的栅极金属层，其中为了施予栅极金属层零偏压并获得n端特性，选择有效功函数的栅极金属层使分立空穴能阶(H0)低于传导带最小值(Ec2)。本发明在高性能、低操作功率、以及低备用电源下可有利于运用，并在任何运用一或多个晶体管的电子装置及/或电路中可善加使用。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 晶体管 反相器 电路 | ||
【主权项】：
一种n沟道晶体管，包括：一第一半导体层，具有一分立空穴能阶(H0)；一第二半导体层，具有一导电带最小值(EC2)；一宽能带间隙半导体阻障层，置于该第一及该第二半导体层之间；一栅极介电层，置于该第一半导体层之上；以及一栅极金属层，置于该栅极介电层之上，且具有一有效功函数，其中为了施予栅极金属层零偏压，该有效功函数经选择，使该分立空穴能阶(H0)低于该传导带最小值(Ec2)。
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