[发明专利]晶体硅太阳电池周边刻蚀工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池周边刻蚀工艺，它包括：对至少一片扩散后的硅片进行正表面遮盖，在硅片的正表面放置隔离片，使每片硅片的正表面完全被隔离片遮盖；将硅片和隔离片夹紧；将夹紧的硅片和隔离片平放于等离子体刻蚀机中，进行周边刻蚀。该周边刻蚀工艺既可以达到去除硅片周边扩散层的目的，又对硅片正表面周边损伤小、对硅片平整度依赖小、使产品碎片率低、成品率高。

主权项

一种晶体硅太阳电池周边刻蚀工艺，其特征在于：包括以下步骤：①对至少一片扩散后的硅片(1)进行正表面遮盖，在硅片(1)的正表面放置隔离片(2)，使每片硅片(1)的正表面完全被隔离片(2)遮盖；②将硅片(1)和隔离片(2)夹紧；③将夹紧的硅片(1)和隔离片(2)平放于等离子体刻蚀机中，进行周边刻蚀。