[发明专利]工艺控制系统及其实现方法无效
申请号: | 201110035475.0 | 申请日: | 2011-01-28 |
公开(公告)号: | CN102299044A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 陈瑞龙;何家栋;蔡柏沣;赵蕙昀;牟忠一 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;刘文意 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种工艺控制系统及其实现方法,该系统包括:一数据库,用以存储多个原始晶片制造数据;一数据探测模块,用以处理原始晶片制造数据,并根据一知识基础式工艺、一统计基础式工艺及一效应基础式流程中的至少之一,以选择原始晶片制造数据的最佳数据;一特征追踪模块,特征追踪模块与数据探测模块有关,并包括一自我学习模型,自我学习模型的灵敏度可动态地调整以符合即时制造环境,特征追踪模块从数据探测模块接收最佳数据以及接收预测数据及控制数据;预测数据及控制数据用以控制晶片制造设备的后续工艺。本发明使用动态及自动灵敏度调整,用以与制造环境紧密结合。在系统性流程及数据探测过程中,隐含效应分析也在考虑之内。 | ||
搜索关键词: | 工艺 控制系统 及其 实现 方法 | ||
【主权项】:
一种工艺控制系统,用于一晶片制造设备,该工艺控制系统包括:一数据库,用以存储多个原始晶片制造数据;一数据探测模块,用以处理所述多个原始晶片制造数据,并根据一知识基础式流程、一统计基础式流程及一效应基础式流程中的至少之一,选择所述多个原始晶片制造数据的一最佳数据;以及一特征追踪模块,该特征追踪模块是与该数据探测模块有关,并包括一自我学习模型,其中该自我学习模型的一灵敏度可动态地调整以符合即时制造环境,该特征追踪模块从该数据探测模块接收该最佳数据,并产生一预测数据及一控制数据;其中该预测数据及该控制数据用以控制该晶片制造设备的多个后续晶片工艺,且该控制数据用以最佳化该数据探测模块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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