[发明专利]用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法及测试装置有效
| 申请号： | 201110035550.3 | 申请日： | 2011-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102420015A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 洪哲伦;廖翔舟;骆统;杨令武 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法及测试装置。该检测记忆体阵列区缺陷的方法可包含配置具有一第一宽度且与记忆体阵列的一第一导电构件相接而组成一接地导电构件的一活性区，配置具有一第二宽度且与记忆体阵列的一第二导电构件相接而组成一绝缘导电构件的一绝缘结构，提供绝缘结构以及活性区的一交替配置，使多个接地以及绝缘导电构件彼此相邻，以组成交替排列绝缘以及接地导电构件的一序列。同时本发明还提供了一种用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的测试装置。藉此本发明可以检测出记忆体阵列中存在的管状桥接缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 记忆体 阵列 制造 缺陷 检测 方法 测试 装置 | ||
【主权项】：
一种用于一记忆体阵列中制造缺陷的检测的方法，其特征在于其包括以下步骤：配置具有一第一宽度且与记忆体阵列的一第一导电构件相接而组成一接地导电构件的一活性区；配置具有一第二宽度且与记忆体阵列的一第二导电构件相接而组成一绝缘导电构件的一绝缘结构；以及提供绝缘结构以及活性区的一交替配置，使多个接地以及绝缘导电构件彼此相邻，以组成交替排列绝缘以及接地导电构件的一序列。
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