[发明专利]存储器制备方法

摘要

一种存储器制备方法，属于半导体技术领域，先后在半导体衬底上完成存储器字线、存储位单元的控制栅及浮栅的制备，并分步完成对第二耦合传导层的刻蚀，在不损伤和影响存储器结构的情况下，完成衬底上其他半导体器件引出电极的制备。该方法中，共享字线的存储器使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片面积，同时也可以避免过擦除的问题。此外，本发明提供的存储器制备方法在不对存储器引出电极造成损伤和影响的情况下，实现了芯片上其他半导体器件引出电极的制备，且并不增加工艺难度。

主权项

一种存储器制备方法，步骤包括：(1)提供一半导体衬底，其上具有有源器件区；(2)在所述半导体衬底上依次形成第一介质层、第一传导层、第二介质层、第二传导层以及第一刻蚀阻挡层；(3)在所述有源器件区内的第一刻蚀阻挡层上开窗口，并在其侧壁形成第一隔离介质层；(4)以第一刻蚀阻挡层及第一隔离介质层作掩膜，依次刻蚀所述第二传导层、第二介质层、第一传导层至暴露出第一介质层表面，得到位于半导体结构表面的第一沟槽；(5)在所述第一沟槽内填充第一耦合传导层至与所述第一刻蚀阻挡层表面基本持平，并在其表面沉积第二刻蚀阻挡层；(6)去除所述第一刻蚀阻挡层，并以所述第二刻蚀阻挡层及第一隔离介质层作掩膜，依次去除位于所述半导体衬底表面的第二传导层、第二介质层、第一传导层、第一介质层至暴露出所述半导体衬底表面；(7)在步骤(6)得到的结构表面依次沉积第三介质层、第三刻蚀阻挡层，并光刻构图去除所述有源器件区外的第三介质层、第三刻蚀阻挡层；(8)在步骤(7)得到的结构表面依次沉积第四介质层、第二耦合传导层，并光刻构图依次去除覆盖所述有源器件区表面的第二耦合传导层、第三刻蚀阻挡层；(9)光刻构图去除所述有源器件区外多余的第二耦合传导层，形成与外电源连接的电极。