[发明专利]半导体器件建模方法无效
| 申请号： | 201110035578.7 | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102637215A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 余泳 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件建模方法，属于微电子器件建模领域，该方法基于BSIM3V3器件模型，用于新一代半导体器件的仿真模拟，包括步骤：(1)设定半导体器件的关键工艺参数；(2)根据所述工艺参数建立半导体器件的物理模型；(3)明确半导体器件的电学指标；(4)根据所述物理模型和电学指标，反推提取所述模型的部分重要拟合参数；(5)提取其他模型参数，建立完整的BSIM3V3整套模型。该建模方法针对NMOS/PMOS仿真的RMS均方根误差可低于10％，能够精确反应新一代半导体器件性能，克服了半导体器件仿真与半导体工艺之间的延时，为基于新一代半导体器件的早期电路设计和技术开发提供可靠的研究基础。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件建模方法，基于BSIM3V3器件模型，用于新一代半导体器件的仿真模拟，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)设定半导体器件的关键工艺参数；(2)根据所述工艺参数建立半导体器件的物理模型；(3)明确半导体器件的电学指标；(4)根据所述物理模型和电学指标，反推提取所述模型的部分重要拟合参数；(5)提取其他模型参数，建立完整的BSIM3V3整套模型。
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