[发明专利]非挥发性存储器的低氢浓度电荷捕获层结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201110035722.7 | 申请日： | 2006-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102130180A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 施彦豪;吴旻达;李士勤;谢荣裕;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供储存单元，其包括：一半导体基板，其具有由通道区域隔开的至少两个源极/漏极区域；一置于所述通道区域上方的电荷捕获结构；以及一置于所述电荷捕获结构上方的栅极；其中所述电荷捕获结构包括一底部绝缘层、一第一电荷捕获层以及一第二电荷捕获层，其中所述底部绝缘层与所述基板之间的接口具有小于约3×1011/cm2的氢浓度，且本发明提供一形成所述储存单元的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 浓度 电荷 捕获 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成非挥发性存储器的方法，其特征在于，由下述步骤组成：在半导体基板表面的一部分上方形成一底部绝缘层；在所述绝缘层上方形成一第一电荷捕获层；对所述底部绝缘层和所述第一电荷捕获层进行一个退火步骤，以使氢从所述底部绝缘层中释放；以及在所述第一电荷捕获层上方形成一第二电荷捕获层，其中所述经受退火后的所述底部绝缘层和所述第一电荷捕获层具有低氢浓度。
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