[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110036736.0 | 申请日： | 2011-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN102136532A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京;程蒙召;饶青 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/10;H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市临港*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，包括：提供(100)晶面的硅衬底；湿法刻蚀硅衬底，将硅衬底的一部分转变为(111)晶面，从而使得硅衬底表面呈锥形；在硅衬底的(111)晶面上形成分布布拉格反射层、第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；形成贯穿硅衬底和分布布拉格反射层的接触插塞；在硅衬底远离第一导电类型半导体层的表面上形成第一电极，第一电极通过接触插塞与第一导电类型半导体层电连接；在第二导电类型半导体层上形成第二电极。本发明可提高发光二极管的光利用率，并且散热效果更好，有利于节约芯片面积；该分布布拉格反射层可减小硅衬底中的吸收损耗，提高发光二极管的发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管制造方法，包括：提供(100)晶面的硅衬底；在所述硅衬底上形成图形化掩膜层；以所述图形化掩膜层为掩膜，湿法刻蚀所述硅衬底，将所述硅衬底的一部分转变为(111)晶面，从而使得所述硅衬底表面呈锥形；去除所述图形化掩膜层；在所述硅衬底的(111)晶面上形成分布布拉格反射层；在所述分布布拉格反射层上依次形成第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；形成贯穿所述硅衬底和分布布拉格反射层的接触插塞；在所述硅衬底远离第一导电类型半导体层的表面上形成第一电极，所述第一电极通过接触插塞与第一导电类型半导体层电连接；在所述第二导电类型半导体层上形成第二电极。
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