[发明专利]一种P型中低阻硅芯载体的制作方法

摘要

一种P型中低阻硅芯载体的制作方法，本发明涉及一种P型中低阻硅芯载体的制作方法，尤其是一种用化学气相沉积方法制备高纯度多晶硅过程中，所需要的P型中低阻硅芯载体的制作方法。该方法的特点是包含以下步骤：选取高纯原料硅锭；在原料硅锭端头处钻一柱形孔，清洗并干燥该孔；将处理后的原料硅锭放置入区熔炉内并固定；从冷藏箱内迅速取出适量高纯金属镓放进原料硅锭端头的柱形孔内，封口；进行区熔拉制硅芯操作后，得到P型中低阻硅芯载体。用该方法制作的载体掺杂均匀，可以降低或基本抑制晶硅光伏电池的光致衰减现象，解决了多晶硅化学气相沉积用N型硅芯载体电阻率不均匀和额外补偿的问题。

主权项

一种P型中低阻硅芯载体的制作方法，其特征在于该方法包含以下步骤：a.选取高纯原料硅锭；b.在原料硅锭端头处钻一柱形孔，清洗并干燥该孔；c.将处理后的原料硅锭放置入区熔炉内并固定；d.从冷藏箱内迅速取出适量高纯金属镓放进原料硅锭端头的柱形孔内，封口；金属镓用量MGa的计算方法为：MGa= CS*mGa*VR / NA*KoCs(cm‑3)是硅中掺杂镓元素的预期浓度，mGa为Ga的原子量，NA为阿伏伽德罗常数，VR(cm3)是区熔时的熔区体积，K0为镓的平衡分凝系数，K0=0.008；e.进行区熔拉制硅芯操作。