[发明专利]电容式超声传感器及其制备方法有效
申请号: | 201110037201.5 | 申请日: | 2011-02-14 |
公开(公告)号: | CN102178545A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 俞挺;于峰崎 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | A61B8/00 | 分类号: | A61B8/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种电容式超声传感器,包括掺杂硅衬底、固定在掺杂硅衬底上的第一电极层以及间隔设置在第一电极层上的第二电极层;第一电极层包括固定在掺杂硅衬底上的绝缘层、固定在绝缘层外沿的侧边电极以及固定在绝缘层中间的中间电极,侧边电极与中间电极通过绝缘层隔开;第二电极层通过绝缘层与侧边电极和中间电极隔开,绝缘层、侧边电极、中间电极以及第二电极层围成作为电容极板间隙的空腔。这种电容式微加工超声传感器的第一电极层采用包括侧边电极和中间电极的双层电极结构,相对于传统的单层电极结构,灵敏度高,发射和接收超声性能均得到提高。本发明还提供一种上述电容式超声传感器的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 电容 超声 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种电容式超声传感器,其特征在于,包括掺杂硅衬底、固定在所述掺杂硅衬底上的第一电极层以及间隔设置在所述第一电极层上的第二电极层;所述第一电极层包括固定在所述掺杂硅衬底上的绝缘层、固定在所述绝缘层外沿的侧边电极以及固定在所述绝缘层中间的中间电极,所述侧边电极与所述中间电极通过所述绝缘层隔开;所述第二电极层通过所述绝缘层与所述侧边电极和所述中间电极隔开,所述绝缘层、所述侧边电极、所述中间电极以及所述第二电极层围成作为电容极板间隙的空腔。
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