[发明专利]氦填注方法无效
| 申请号： | 201110037428.X | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102155607A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | M·博恩;N·洛斯;D·巴邱 | 申请（专利权）人： | 琳德股份公司 |
| 主分类号： | F17C5/04 | 分类号： | F17C5/04;F17D1/07 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 披露了填注磁体、冷却磁体并对磁体通电的方法。这些方法在氦转填注设施中执行，并且氦用于填注磁体、将磁体冷却至合适的温度并对磁体通电以使其能应用于需要超导磁体的操作中。 | ||
| 搜索关键词： | 氦填注 方法 | ||
【主权项】：
一种在氦转填注设施中用低温氦气对磁体的超导线圈提供冷却的方法，所述方法包括将低温气态氦从现场氦容器馈送至所述磁体并使所述气态氦流过所述磁体的低温恒温器。
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