[发明专利]监测退火过程温度的方法有效
| 申请号： | 201110037453.8 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102623366A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 阳厚国;张伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01K7/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种监测退火过程温度的方法，其包括通过低温化学气相沉积方式在晶圆上生长第一厚度的未掺杂的多晶硅层；以第一高温退火的方式高温氧化具有多晶硅层的晶圆；对高温氧化后的晶圆进行离子植入，并对其进行第一次退火处理；以及测量所述晶圆的电阻变化，从而获得对第一高温退火过程温度的监测。通过本方法，所用的测试晶圆可重复利用，有效地节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 退火 过程 温度 方法 | ||
【主权项】：
一种监测退火过程温度的方法，所述方法包括：通过低温化学气相沉积方式在晶圆上生长第一厚度的未掺杂的多晶硅层；以第一高温退火的方式高温氧化具有多晶硅层的晶圆；对高温氧化后的晶圆进行离子植入，并对其进行第二次退火处理；以及测量所述晶圆的电阻变化，从而获得对第一高温退火过程温度的监测。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110037453.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：卧式自排链液压卷筒绞车
- 下一篇：微机械陀螺的双闭环控制电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
